Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SPP07N60C3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SPP07N60C3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 83

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 7.3

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SPP07N60C3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SPP07N60CFD , SPP07N65C3 , SPP08N50C3 , SPP11N60CFD , SPP11N60S5 , SPP15P10PLH , SPW12N50C3 , SPW20N60CFD , IRF1018ESL , IRF1324S-7P , IRF2204S , IRF2804S-7P , IRF2805L , IRF2807ZS , IRF3305 , IRF3704Z , IRF3717 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved