Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SPD50P03LG - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SPD50P03LG

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 50

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SPD50P03LG (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.007

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK_TO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SPI80N06S-08 , SPI07N60S5 , SPI07N65C3 , SPI11N60CFD , SPI11N60S5 , SPI20N60CFD , SPP15P10PG , SPP20N60CFD , SPW07N60CFD , SPW15N60C3 , IRF1018ES , IRF1324 , IRF1324S , IRF1404Z , IRF1407S , IRF1902 , IRF3205ZS ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved