Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SPD01N60C3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SPD01N60C3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 11

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.8

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SPD01N60C3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK_TO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SPD02N50C3 , SPD02N60S5 , SPD02N80C3 , SPD04N50C3 , SPD04N60C3 , SPD07N60C3 , SPI20N60C3 , SPP02N80C3 , SPP11N80C3 , SPP15P10PLH , SPU07N60S5 , SPW11N60S5 , SPW12N50C3 , SPW17N80C3 , IRF1010EZ , IRF1010ZL , IRF1407L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved