Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SPA15N65C3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SPA15N65C3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 34

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 650

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 15

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SPA15N65C3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.28

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220FP

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SPA16N50C3 , SPA20N60C3 , SPA20N60CFD , SPB02N60C3 , SPB02N60S5 , SPB08P06PG , SPD07N20G , SPD15P10PG , SPI12N50C3 , SPI20N60CFD , SPP11N65C3 , SPP15N60CFD , SPP15P10PG , SPP18P06PH , SPU02N60C3 , SPU04N60C3 , SPW52N50C3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved