Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPW60R299CP - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPW60R299CP

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 96

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 11

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPW60R299CP (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.299

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPW65R070C6 , IPW65R280C6 , IPW65R280E6 , IPW90R1K2C3 , IPW90R340C3 , SPA06N60C3 , SPB07N60S5 , SPB12N50C3 , SPD04N80C3 , SPD07N60C3 , SPI11N65C3 , SPI15N65C3 , SPI20N60C3 , SPP02N60C3 , SPP07N65C3 , SPP11N60C3 , SPU01N60C3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved