Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPU060N03LG - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPU060N03LG

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 56

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 50

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPU060N03LG (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.006

WYTWÓRCA:

CIAŁO: IPAK_TO251

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPU075N03LG , IPU103N08N3G , IPU135N03LG , IPW50R250CP , IPW50R299CP , IPW60R075CPA , SPA04N80C3 , SPA08N50C3 , SPB03N60S5 , SPB08P06PG , SPD04N60S5 , SPD06N60C3 , SPD07N20G , SPD08P06PG , SPI07N60S5 , SPI11N60C3 , SPP07N60S5 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved