Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPP60R750E6 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPP60R750E6

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 48

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5.7

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPP60R750E6 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.75

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPP60R950C6 , IPP65R280E6 , IPP65R380C6 , IPP65R660CFD , IPP70N04S4-06 , IPS031N03LG , IPW60R075CP , IPW60R125CP , IPW90R800C3 , SPA06N60C3 , SPB03N60C3 , SPB04N60S5 , SPB07N60S5 , SPB11N60C3 , SPD02N60S5 , SPD03N60S5 , SPI07N60C3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved