Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPP50R299CP - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPP50R299CP

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 104

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPP50R299CP (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.299

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPP50R350CP , IPP50R399CP , IPP50R520CP , IPP60R099CP , IPP60R099CPA , IPP60R250CP , IPP90R800C3 , IPS090N03LG , IPW50R399CP , IPW60R075CPA , IPW90R500C3 , SPA04N50C3 , SPA04N80C3 , SPA07N60CFD , SPA20N60C3 , SPB80N06S-08 , SPD02N60C3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved