Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPP100N08N3G - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPP100N08N3G

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 100

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 80

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 70

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPP100N08N3G (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0097

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPP110N06LG , IPP111N15N3G , IPP114N03LG , IPP120N06NG , IPP120N06S4-02 , IPP16CN10LG , IPP60R199CP , IPP60R380E6 , IPP80N04S4-03 , IPS031N03LG , IPW50R350CP , IPW60R045CPA , IPW60R075CP , IPW60R099CPA , IPW65R280C6 , IPW90R1K0C3 , SPA17N80C3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved