Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BF1100 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BF1100

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 14

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.03

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BF1100 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 2.2

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 200

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT143

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BF1100R , BF1101 , BF1101R , BF1105R , BF1105WR , BF350 , BF905 , BF909R , BF990A , BF994S , BFC41 , BFC45 , BFC47 , BFC51 , BS170F , BS270 , BUK106-50S ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved