Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPP04CN10NG - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPP04CN10NG

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 100

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPP04CN10NG (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0039

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPP04N03LBG , IPP052NE7N3G , IPP055N03LG , IPP05CN10NG , IPP062NE7N3G , IPP070N08N3G , IPP147N12N3G , IPP230N06L3G , IPP60R125CP , IPP60R250CP , IPP80CN10NG , IPP90R340C3 , IPP90R800C3 , IPS060N03LG , IPU103N08N3G , IPW50R199CP , IPW65R080CFD ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved