Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPP45N06S4L-08 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPP45N06S4L-08

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 71

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 45

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPP45N06S4L-08 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0082

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PGTO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPP45P03P4L-11 , IPP47N10SL-26 , IPP50N10S3L-16 , IPP70N10SL-16 , IPP77N06S2-12 , IPP80N04S3-06 , IPP028N08N3G , IPP037N08N3G , IPP065N04NG , IPP070N08N3G , IPP120N06S4-H1 , IPP139N08N3G , IPP147N12N3G , IPP200N15N3G , IPP50R399CP , IPP60R099C6 , IPP65R280C6 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved