Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPI60R385CP - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPI60R385CP

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 83

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 9

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPI60R385CP (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.385

WYTWÓRCA:

CIAŁO: I2PAK_TO262

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPI60R520CP , IPI65R280C6 , IPI65R380C6 , IPI80CN10NG , IPI80N04S4-03 , IPL60R385CP , IPP80N04S3-04 , IPP80N06S2-07 , IPP90N06S4L-04 , IPP030N10N3G , IPP065N03LG , IPP06CN10NG , IPP070N06NG , IPP076N12N3G , IPP111N15N3G , IPP120N04S4-02 , IPP50R380CE ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved