Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPI120N06S4-02 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPI120N06S4-02

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 188

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 120

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPI120N06S4-02 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0028

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PGTO262

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPI120N06S4-H1 , IPI139N08N3G , IPI147N12N3G , IPI26CN10NG , IPI320N20N3G , IPI50R380CE , IPL60R299CP , IPP100N06S2L-05 , IPP80N03S4L-04 , IPP80N04S3-06 , IPP90N06S4-04 , IPP023NE7N3G , IPP028N08N3G , IPP034NE7N3G , IPP052NE7N3G , IPP05CN10LG , IPP110N20N3G ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved