Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPI80N08S2-07 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPI80N08S2-07

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 75

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 80

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPI80N08S2-07 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0074

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PGTO262

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPI80P03P4L-04 , IPI90N04S4-02 , IPI90N06S4-04 , IPI028N08N3G , IPI030N10N3G , IPI04CN10NG , IPI50R350CP , IPI60R099CPA , IPI90R1K2C3 , IPL60R385CP , IPP80N03S4L-03 , IPP80N04S2L-03 , IPP80N04S3-04 , IPP80N04S4L-04 , IPP80N06S4L-05 , IPP80P03P4L-04 , IPP052N06L3G ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved