Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPI120N04S3-02 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPI120N04S3-02

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 120

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPI120N04S3-02 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0023

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PGTO262

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPI120N06S4-03 , IPI45N06S4-09 , IPI45N06S4L-08 , IPI50N10S3L-16 , IPI70N04S3-07 , IPI80N04S3-03 , IPI045N10N3G , IPI075N15N3G , IPI50CN10NG , IPI50R380CE , IPI90R1K0C3 , IPI90R800C3 , IPL60R299CP , IPP100N04S3-03 , IPP47N10SL-26 , IPP70N10S3L-12 , IPP80N06S4-07 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved