Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPD65R380C6 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPD65R380C6

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 83

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 650

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10.6

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPD65R380C6 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.38

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK_TO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPD65R380E6 , IPD65R600E6 , IPD65R660CFD , IPD800N06NG , IPD90N04S4-02 , IPG20N04S4L-07 , IPI80N04S2-H4 , IPI80N04S4L-04 , IPI034NE7N3G , IPI04CN10NG , IPI35CN10NG , IPI50R250CP , IPI50R350CP , IPI600N25N3G , IPI65R280C6 , IPI70N04S4-06 , IPP47N10S-33 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved