Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPD230N06NG - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPD230N06NG

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 100

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 30

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPD230N06NG (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.023

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK_TO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPD250N06N3G , IPD320N20N3G , IPD33CN10NG , IPD50N04S4-08 , IPD50N04S4-10 , IPD60R2K0C6 , IPG20N04S4-12 , IPG20N06S2L-65 , IPI70N10S3L-12 , IPI80N04S3-03 , IPI032N06N3G , IPI040N06N3G , IPI045N10N3G , IPI070N08N3G , IPI139N08N3G , IPI200N25N3G , IPI60R600CP ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved