Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPD042P03L3G - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPD042P03L3G

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 70

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPD042P03L3G (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0042

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK_TO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPD048N06L3G , IPD053N06N3G , IPD053N08N3G , IPD075N03LG , IPD079N06L3G , IPD110N12N3G , IPD60R1K4C6 , IPD60R520C6 , IPD90N04S4-05 , IPG20N04S4L-07 , IPI70N10S3-12 , IPI80N03S4L-04 , IPI80N04S2-H4 , IPI80N04S3-H4 , IPI90N04S4-02 , IPI024N06N3G , IPI126N10N3G ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved