Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPD50N06S4L-12 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPD50N06S4L-12

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 50

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 50

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPD50N06S4L-12 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.012

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PGTO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPD50N10S3L-16 , IPD70N03S4L-04 , IPD70N04S3-07 , IPD80P03P4L-07 , IPD90N03S4L-02 , IPD90N06S4-07 , IPD105N04LG , IPD135N08N3G , IPD50P04P4L-11 , IPD60R2K0C6 , IPD90N04S4-03 , IPG20N04S4-08 , IPG20N04S4-12 , IPG20N06S2L-35 , IPI45N06S4-09 , IPI47N10SL-26 , IPI80P03P4L-07 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved