Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPD14N06S2-80 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPD14N06S2-80

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 30

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 55

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 17

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPD14N06S2-80 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.08

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PGTO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPD15N06S2L-64 , IPD25N06S2-40 , IPD25N06S4L-30 , IPD30N03S2L-20 , IPD30N03S4L-09 , IPD30N08S2L-21 , IPD90N06S4-05 , IPD90P03P4L-04 , IPD088N04LG , IPD110N12N3G , IPD50N04S4L-08 , IPD530N15N3G , IPD60R1K4C6 , IPD60R3K3C6 , IPD65R600E6 , IPD78CN10NG , IPI22N03S4L-15 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved