Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPB600N25N3G - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPB600N25N3G

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 136

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 25

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPB600N25N3G (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.06

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK_TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPB60R099C6 , IPB60R099CPA , IPB60R125C6 , IPB60R190C6 , IPB60R199CP , IPB60R520CP , IPD30N08S2-22 , IPD50N03S2L-06 , IPD90N04S3-04 , IPD90N06S4-07 , IPD082N10N3G , IPD096N08N3G , IPD105N04LG , IPD12CN10NG , IPD320N20N3G , IPD49CN10NG , IPD65R600C6 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved