Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPB108N15N3G - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPB108N15N3G

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 214

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 150

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 83

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPB108N15N3G (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0108

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK_TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPB114N03LG , IPB120N04S4-02 , IPB120N06NG , IPB12CNE8NG , IPB136N08N3G , IPB200N15N3G , IPB60R385CP , IPB65R280E6 , IPD30N06S2-15 , IPD30N08S2L-21 , IPD90N03S4L-03 , IPD90N04S4L-04 , IPD90N06S4-05 , IPD90N06S4L-06 , IPD053N06N3G , IPD068P03L3G , IPD25CN10NG ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved