Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPB041N04NG - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPB041N04NG

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 94

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 80

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPB041N04NG (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0041

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK_TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPB042N03LG , IPB048N06LG , IPB049N06L3G , IPB052N04NG , IPB054N06N3G , IPB06CN10NG , IPB180N04S4-H0 , IPB320N20N3G , IPB60R250CP , IPB60R520CP , IPD30N03S4L-14 , IPD30N06S2L-23 , IPD30N08S2-22 , IPD40N03S4L-08 , IPD70N03S4L-04 , IPD80N04S3-06 , IPD050N03LG ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved