Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPB90N06S4L-04 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPB90N06S4L-04

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 90

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPB90N06S4L-04 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0034

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PGTO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPB009N03LG , IPB011N04NG , IPB015N04LG , IPB019N06L3G , IPB019N08N3G , IPB025N10N3G , IPB067N08N3G , IPB081N06L3G , IPB147N03LG , IPB200N15N3G , IPB60R199CPA , IPB60R299CPA , IPB60R385CP , IPB60R950C6 , IPD25N06S2-40 , IPD30N03S2L-10 , IPD50P03P4L-11 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved