Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPB80N04S2-04 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPB80N04S2-04

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 80

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPB80N04S2-04 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0034

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PGTO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPB80N04S2-H4 , IPB80N04S3-03 , IPB80N04S3-04 , IPB80N04S4L-04 , IPB80N06S2-05 , IPB80N06S2L-09 , IPB025N08N3G , IPB034N03LG , IPB055N03LG , IPB06CN10NG , IPB144N12N3G , IPB180N03S4L-01 , IPB180N04S4-H0 , IPB260N06N3G , IPB60R099CPA , IPB60R165CP , IPD22N08S2L-50 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved