Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPB100N04S2L-03 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPB100N04S2L-03

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 100

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPB100N04S2L-03 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.003

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PGTO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPB100N04S3-03 , IPB100N06S2L-05 , IPB100N08S2-07 , IPB120N04S3-02 , IPB120N06S4-03 , IPB22N03S4L-15 , IPB80N06S2L-07 , IPB80N06S4L-05 , IPB020NE7N3G , IPB025N10N3G , IPB054N08N3G , IPB065N06LG , IPB067N08N3G , IPB080N03LG , IPB120N04S4-02 , IPB123N10N3G , IPB60R099CP ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved