Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IPA60R190E6 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IPA60R190E6

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 34

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 20.2

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IPA60R190E6 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.19

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220FP

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IPA60R199CP , IPA60R280C6 , IPA60R280E6 , IPA60R385CP , IPA60R450E6 , IPA60R950C6 , IPB180N06S4-H1 , IPB47N10SL-26 , IPB80N06S2-08 , IPB80N06S2L-09 , IPB020N04NG , IPB023N04NG , IPB025N08N3G , IPB030N08N3G , IPB048N06LG , IPB051NE8NG , IPB120N04S4-01 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved