Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BSZ100N03MSG - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BSZ100N03MSG

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 30

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 40

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BSZ100N03MSG (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0091

WYTWÓRCA:

CIAŁO: S3O8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BSZ100N06LS3G , BSZ110N06NS3G , BSZ120P03NS3G , BSZ130N03LSG , BSZ130N03MSG , BSZ340N08NS3G , IPA180N10N3G , IPA50R380CE , IPA60R520CP , IPA60R950C6 , IPB160N04S2-03 , IPB180N04S3-02 , IPB180N06S4-H1 , IPB45P03P4L-11 , IPB80N04S3-03 , IPB80N04S4-04 , IPB011N04LG ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved