Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BSO150N03MDG - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BSO150N03MDG

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 9.3

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BSO150N03MDG (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.015

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BSO200N03 , BSO200P03SH , BSO201SPH , BSO207PH , BSO211PH , BSO350N03 , BSZ040N04LSG , BSZ067N06LS3G , BSZ165N04NSG , BSZ340N08NS3G , IPA075N15N3G , IPA105N15N3G , IPA180N10N3G , IPA50R299CP , IPA60R280C6 , IPA60R380E6 , IPB100N06S2-05 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved