Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BSD314SPE - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BSD314SPE

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 1.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BSD314SPE (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.14

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT363

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BSF024N03LT3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL307SP , BSL308PE , BSO064N03S , BSO330N02KG , BSP171P , BSS84PW , BSZ042N04NSG , BSZ160N10NS3G , BSZ180P03NS3EG , BSZ240N12NS3G , BSZ520N15NS3G , IPA028N08N3G , IPA045N10N3G , IPA60R250CP ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved