Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BSC118N10NSG - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BSC118N10NSG

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 114

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 71

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BSC118N10NSG (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0118

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SuperSO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BSC119N03SG , BSC120N03MSG , BSC123N08NS3G , BSC150N03LDG , BSC152N10NSFG , BSC205N10LSG , BSO052N03S , BSO080P03SH , BSO220N03MSG , BSO350N03 , BSS84P , BSZ035N03LSG , BSZ040N04LSG , BSZ058N03LSG , BSZ110N06NS3G , BSZ12DN20NS3G , BUZ73LH ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved