Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BSC059N03SG - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BSC059N03SG

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 48

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 73

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BSC059N03SG (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0055

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SuperSO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BSC059N04LSG , BSC060P03NS3EG , BSC067N06LS3G , BSC077N12NS3G , BSC079N10NSG , BSC0902NS , BSC200P03LSG , BSC320N20NS3G , BSL315P , BSO064N03S , BSO220N03MDG , BSO303PH , BSO330N02KG , BSP603S2L , BSS209PW , BSS314PE , BSZ105N04NSG ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved