Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BSC022N03SG - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BSC022N03SG

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 104

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 100

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BSC022N03SG (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0022

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SuperSO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BSC024NE2LS , BSC025N03MSG , BSC026N02KSG , BSC030N03MSG , BSC030N04NSG , BSC042N03SG , BSC0901NS , BSC093N04LSG , BSC160N10NS3G , BSC205N10LSG , BSL314PE , BSO040N03MSG , BSO052N03S , BSO080P03NS3G , BSO200P03SH , BSO204P , BSS192P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved