Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STY140NS10 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STY140NS10

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 450

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 140

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STY140NS10 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.01

WYTWÓRCA:

CIAŁO: MaX247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STY30NK90Z , STY60NM50 , STY60NM60 , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSC011N03LS , BSC042N03MSG , BSC050N03MSG , BSC080N03MSG , BSC0902NS , BSC159N10LSFG , BSC190N15NS3G , BSC200P03LSG , BSC252N10NSFG , BSF053N03LTG , BSL215P , BSO200N03S ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved