Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STW20NM60 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STW20NM60

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 214

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 20

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STW20NM60 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.29

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STW20NM60FD , STW21N90K5 , STW21NM60ND , STW24NK55Z , STW24NM60N , STW30N65M5 , STW6N120K3 , STW7N95K3 , BSB017N03LX3G , BSC011N03LS , BSC030P03NS3G , BSC035N04LSG , BSC042N03MSG , BSC047N08NS3G , BSC060P03NS3EG , BSC076N06NS3G , BSC120N03LSG ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved