Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

APT4020BN - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: APT4020BN

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 310

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 400

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 26

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora APT4020BN (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 29

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 563

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.2

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: APT4020BVR , APT40M35JVR , APT40M35PVR , APT40M75JN , APT40M82WVR , APT5012WVR , APT6013JVR , APT6020LVR , APT8018JN , APT8030JVFR , BF1109 , BF245B , BF327 , BF353 , BF556C , BF861C , BF966S ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved