Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STW10NK60Z - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STW10NK60Z

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 156

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STW10NK60Z (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.75

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STW10NK80Z , STW11NK90Z , STW11NM80 , STW12NK80Z , STW12NK90Z , STW15NK50Z , STW28NM50N , STW34NB20 , STW56NM60N , STW6N95K5 , BSB015N04NX3G , BSB028N06NN3G , BSC010NE2LS , BSC016N03LSG , BSC025N03MSG , BSC030N03LSG , BSC060N10NS3G ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved