Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STU27N3LH5 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STU27N3LH5

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 30

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 27

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STU27N3LH5 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.02

WYTWÓRCA:

CIAŁO: IPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STU2N62K3 , STU3LN62K3 , STU3N45K3 , STU5N52K3 , STU5N62K3 , STU75N3LLH6 , STW14NK50Z , STW16NK60Z , STW25N95K3 , STW30N65M5 , STW55NM60ND , STW60N65M5 , STW6N120K3 , STW75NF30 , STY60NM50 , BSB012N03LX3G , BSC025N03LSG ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved