Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STS20N3LLH6 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STS20N3LLH6

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.7

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 20

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STS20N3LLH6 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.004

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STS26N3LLH6 , STS3N95K3 , STS4DNF30L , STS4DPF30L , STS4NF100 , STS7NF60L , STU70N2LH5 , STU8NM50N , STW13N95K3 , STW15NK50Z , STW24NM65N , STW26NM60N , STW28NM50N , STW32N55M5 , STW45NM60 , STW4N150 , STY60NK30Z ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved