Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP90N55F4 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP90N55F4

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 55

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 80

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP90N55F4 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.008

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP90NF03L , STP95N2LH5 , STP95N3LLH6 , STP9NK65Z , STP9NK65ZFP , STQ2NK60ZR-AP , STS6NF20V , STS9D8NH3LL , STU60N3LH5 , STU75N3LLH6 , STW12NK95Z , STW13NK60Z , STW14NK50Z , STW160N75F3 , STW21N90K5 , STW23NM60ND , STW45NM50FD ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved