Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP7NK40Z - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP7NK40Z

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 70

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 400

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5.4

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP7NK40Z (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP7NK80Z , STP7NM60N , STP7NM80 , STP80NF10 , STP80NF10FP , STP85N3LH5 , STQ2HNK60ZR-AP , STS11NF30L , STS5DNF60L , STS7NF60L , STU5N95K3 , STU6N62K3 , STU70N2LH5 , STU85N3LH5 , STW11NK90Z , STW12NK60Z , STW21N65M5 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved