Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP60N3LH5 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP60N3LH5

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 60

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 48

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP60N3LH5 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0084

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP60N55F3 , STP60NF06 , STP60NF06FP , STP62NS04Z , STP65NF06 , STP70N10F4 , STP85N15F4 , STP8NK80Z , STP9NK70ZFP , STQ2NK60ZR-AP , STS5DNF20V , STS5NF60L , STS6NF20V , STS8DN3LLH5 , STU3LN62K3 , STU4N62K3 , STW11NK100Z ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved