Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP40NF12 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP40NF12

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 120

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 40

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP40NF12 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.032

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP40NF20 , STP45NF06 , STP45NF3LL , STP4N62K3 , STP4NK50Z , STP52N25M5 , STP6NK90Z , STP75NF68 , STP80NF55-06 , STP85N3LH5 , STP9NK70Z , STQ1HNK60R , STQ2HNK60ZR-AP , STS10N3LH5 , STS3N95K3 , STS4DPF20L , STU2NK100Z ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved