Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP27N3LH5 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP27N3LH5

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 45

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 27

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP27N3LH5 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.02

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP28NM50N , STP2NK100Z , STP2NK60Z , STP30NF20 , STP30NM30N , STP35NF10 , STP50NF25 , STP5N95K3 , STP6N52K3 , STP70N10F4 , STP80NF12 , STP80NS04ZB , STP85N15F4 , STP8N65M5 , STP95N2LH5 , STP9NK60Z , STS2DNF30L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved