Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP19NM50N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP19NM50N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 80

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 13

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP19NM50N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.25

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP200N4F3 , STP200NF03 , STP200NF04 , STP20NF06L , STP20NF20 , STP210N75F6 , STP35N65M5 , STP3N62K3 , STP4NK50ZFP , STP52N25M5 , STP6N120K3 , STP6NK50Z , STP6NK90Z , STP75N3LLH6 , STP7NM60N , STP80NF06 , STP90NS04ZC ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved