Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STP10NM60ND - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STP10NM60ND

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 70

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STP10NM60ND (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STP10NM65N , STP11NK40Z , STP11NK40ZFP , STP11NM60 , STP11NM60FD , STP12NK30Z , STP16NF25 , STP180N10F3 , STP20NM50 , STP210N75F6 , STP30NM50N , STP34NM60N , STP35N65M5 , STP3LN62K3 , STP45NF06 , STP4N52K3 , STP60NF03L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved