Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STL7NM60N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STL7NM60N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 68

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5.8

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STL7NM60N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.9

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PowerFLAT_5X5

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STL80N3LLH6 , STL80N75F6 , STL85N6F3 , STN1HNK60 , STN1N20 , STN3NF06L , STP12N65M5 , STP130NH02L , STP160N75F3 , STP16NK60Z , STP20NK50Z , STP20NM60FD , STP20NM65N , STP21NM60ND , STP2NK100Z , STP30NF10 , STP42N65M5 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved