Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STL150N3LLH6 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STL150N3LLH6

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 80

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 150

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STL150N3LLH6 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.002

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PowerFLAT_5X6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STL15DN4F5 , STL160N3LLH6 , STL16N1VH5 , STL18NM60N , STL21N65M5 , STL35N15F3 , STN3NF06 , STP100NF04 , STP11NM80 , STP12NK30Z , STP15NM65N , STP16NF06 , STP16NF25 , STP17NK40Z , STP200NF03 , STP20NF06 , STP2N62K3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved