Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

STI10N62K3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: STI10N62K3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 125

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 620

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8.4

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora STI10N62K3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.75

WYTWÓRCA:

CIAŁO: I2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: STI12N65M5 , STI16N65M5 , STI18NM60N , STI23NM60ND , STI24NM60N , STI42N65M5 , STL32N55M5 , STL56N3LLH5 , STN1NK60Z , STN3NF06L , STP11NM60ND , STP120NF10 , STP12N65M5 , STP12NM50 , STP14NK60Z , STP150NF55 , STP200N6F3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved